BLP8G21S-160PVY

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BLP8G21S-160PVY概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 6Pin HSOP-F T/R

RF Mosfet LDMOS(双),共源 28 V 600 mA 1.88GHz ~ 1.92GHz 17.5dB 20W 6-HSOPF


得捷:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12211


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 6-Pin HSOP-F T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 1880- 2025 MHz, 160 W, 17.5 dB, 28 V, LDMOS, Plastic


BLP8G21S-160PVY中文资料参数规格
技术参数

频率 1.88GHz ~ 1.92GHz

输出功率 20 W

增益 17.5 dB

测试电流 600 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-1221-1

外形尺寸

封装 SOT-1221-1

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLP8G21S-160PVY
型号: BLP8G21S-160PVY
制造商: Ampleon USA
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 6Pin HSOP-F T/R

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