BLM7G1822S-80PBGY

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BLM7G1822S-80PBGY概述

RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 80W, 28dB, 28V, SOT1212-2, LDMOS

RF Mosfet LDMOS(双) 28 V 240 mA 2.17GHz 28dB 8W 16-HSOP


得捷:
RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122


艾睿:
LDMOS 2-STAGE POWER MMIC


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 16-Pin HSOP T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 1.805 to 2.170 GHz, 80 W, 28 dB, 28 V, SOT1212-2, LDMOS


BLM7G1822S-80PBGY中文资料参数规格
技术参数

频率 2.17 GHz

输出功率 8 W

增益 28 dB

测试电流 240 mA

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 16

封装 SOT-1211-2

外形尺寸

封装 SOT-1211-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLM7G1822S-80PBGY
型号: BLM7G1822S-80PBGY
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 1.805 to 2.17GHz, 80W, 28dB, 28V, SOT1212-2, LDMOS

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