BLC8G27LS-210PVY

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BLC8G27LS-210PVY概述

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 200W, 17dB, 28V, SOT1251-3, LDMOS

RF Mosfet LDMOS(双),共源 28 V 1.73 A 2.6GHz ~ 2.7GHz 17dB 65W 8-DFM


得捷:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12513


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 9-Pin DFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 200 W, 17 dB, 28 V, SOT1251-3, LDMOS


BLC8G27LS-210PVY中文资料参数规格
技术参数

频率 2.6GHz ~ 2.7GHz

输出功率 65 W

增益 17 dB

测试电流 1.73 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 9

封装 SOT-1251-3

外形尺寸

封装 SOT-1251-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLC8G27LS-210PVY
型号: BLC8G27LS-210PVY
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 200W, 17dB, 28V, SOT1251-3, LDMOS
替代型号BLC8G27LS-210PVY
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLC8G27LS-210PVY

Ampleon USA

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Ampleon USA

完全替代

BLC8G27LS-210PVY和BLC8G27LS-210PVZ的区别

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