BLA6G1011L-200RG,1

BLA6G1011L-200RG,1图片1
BLA6G1011L-200RG,1概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502D Bulk

RF Mosfet LDMOS 28V 100mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 20dB 200W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502D


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin SOT-502D Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 1.03 to 1.09 GHz, 200 W, 20 dB, 28 V, LDMOS, SOT-502D


BLA6G1011L-200RG,1中文资料参数规格
技术参数

频率 1.03GHz ~ 1.09GHz

上升时间 10 ns

输出功率 200 W

增益 20 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLA6G1011L-200RG,1
型号: BLA6G1011L-200RG,1
制造商: Ampleon USA
描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502D Bulk

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