BLF573,112

BLF573,112图片1
BLF573,112概述

Trans RF MOSFET N-CH 110V 42A 3Pin SOT-502A Blister

RF Mosfet LDMOS 50V 900mA 225MHz 27.2dB 300W LDMOST


得捷:
RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 42A 3-Pin SOT-502A Blister


RfMW:
RF Power Transistor, 0.005 to 0.225 GHz, 300 W, 27.2 dB, 50 V, LDMOS, SOT-502A


BLF573,112中文资料参数规格
技术参数

频率 225 MHz

输出功率 300 W

增益 27.2 dB

测试电流 900 mA

输入电容Ciss 300pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF573,112
型号: BLF573,112
制造商: Ampleon USA
描述:Trans RF MOSFET N-CH 110V 42A 3Pin SOT-502A Blister

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