BLP10H610AZ

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BLP10H610AZ概述

RF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 10W, 22dB, 50V, Plastic

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 50V 60mA 860MHz 22dB 10W 12-HVSON 6x5


得捷:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 12-Pin HVSON EP T/R


Verical:
Trans RF FET N-CH 104V 12-Pin HVSON EP T/R


RfMW:
RF Power Transistor, HF- 1.4 GHz, 10 W, 22 dB, 50 V, Plastic


BLP10H610AZ中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 10 W

增益 22 dB

测试电流 60 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 12

封装 VDFN-12

外形尺寸

封装 VDFN-12

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLP10H610AZ
型号: BLP10H610AZ
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, HF- 1.4GHz, 10W, 22dB, 50V, Plastic
替代型号BLP10H610AZ
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BLP10H610AZ和BLP10H610Z的区别

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