容差 ±5 %
正向电压 1V @50mA
耗散功率 1.3 W
测试电流 45 mA
稳压值 4.7 V
正向电压Max 1V @50mA
额定功率Max 1.3 W
耗散功率Max 1300 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
工作温度 -65℃ ~ 200℃
温度系数 -0.65 mV/K
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
BZV85-C4V7,113
NXP 恩智浦
当前型号
1N4732A,113
恩智浦
类似代替
ZPY4.7
Diotec Semiconductor
功能相似
1N4732A
NTE Electronics