BZX55B4V3-TAP参数规格_中文资料_数据手册PDF

BZX55B4V3-TAP中文资料参数规格

技术参数

容差 ±2 %

正向电压 1.5V @200mA

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 4.3 V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-35-2

外形尺寸

长度 3.9 mm

宽度 1.7 mm

高度 1.7 mm

封装 DO-35-2

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Ammo Pack

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买BZX55B4V3-TAP

型号： BZX55B4V3-TAP

描述：Diode Zener Single 4.3V 2% 0.5W1/2W 2Pin DO-35 Ammo

替代型号BZX55B4V3-TAP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BZX55B4V3-TAP Vishay Semiconductor 威世	当前型号	当前型号
BZX55F4V3-TAP 威世	功能相似	BZX55B4V3-TAP和BZX55F4V3-TAP的区别

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BZX55B4V3-TAP

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