BLP05H675XRY

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BLP05H675XRY概述

RF Power Transistor, 0.01 to 0.6GHz, 75W, 27dB, 50V, SOT1223-2, LDMOS

RF Mosfet LDMOS(双),共源 108MHz 27dB 75W 4-HSOPF


得捷:
RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232


立创商城:
BLP05H675XRY


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 135V 4-Pin HSOP-F T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 0.01 to 0.60 GHz, 75 W, 27 dB, 50 V, SOT1223-2, LDMOS


BLP05H675XRY中文资料参数规格
技术参数

频率 108 MHz

输出功率 75 W

增益 27 dB

测试电流 20 mA

输入电容Ciss 31pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 135 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-1223-2

外形尺寸

封装 SOT-1223-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLP05H675XRY
型号: BLP05H675XRY
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.01 to 0.6GHz, 75W, 27dB, 50V, SOT1223-2, LDMOS

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