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BC32716TAR中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数hFE 630

额定功率Max 625 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： BC32716TAR

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial

替代型号BC32716TAR

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Fairchild 飞兆/仙童

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