BLF8G27LS-100J概述
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT502B, LDMOS
RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W SOT502B
得捷:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502B
艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R
RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 100 W, 17 dB, 28 V, SOT502B, LDMOS
在线购买BLF8G27LS-100J
型号： BLF8G27LS-100J
制造商：
Ampleon USA
描述：RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT502B, LDMOS
替代型号BLF8G27LS-100J
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BLF8G27LS-100J Ampleon USA | 当前型号 | 当前型号 |
BLF8G27LS-100U Ampleon USA | 完全替代 | BLF8G27LS-100J和BLF8G27LS-100U的区别 |