BLP8G10S-45PGY

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BLP8G10S-45PGY概述

RF Power Transistor, 700-1000MHz, 45W, 20.8dB, 28V, LDMOS, SOT1224-1

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 224mA 952.5MHz ~ 957.5MHz 20.8dB 2.5W 4-HSOP


得捷:
RF FET LDMOS 65V 20.8DB 4BESOP


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4-Pin HSOP EP T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 4-Pin HSOP EP T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 700-1000 MHz, 45 W, 20.8 dB, 28 V, LDMOS, SOT1224-1


BLP8G10S-45PGY中文资料参数规格
技术参数

频率 952.5MHz ~ 957.5MHz

输出功率 2.5 W

增益 20.8 dB

测试电流 224 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 HSOP-4

外形尺寸

封装 HSOP-4

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLP8G10S-45PGY
型号: BLP8G10S-45PGY
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 700-1000MHz, 45W, 20.8dB, 28V, LDMOS, SOT1224-1

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