ON SEMICONDUCTOR BC857CLT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -45 V, 100 MHz, 225 mW, -100 mA, 420 hFE
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| −50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 420~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −650mV/-0.65V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| General Purpose Transistors PNP Silicon Features • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 通用 PNP硅 特点 •无铅包可用
频率 100 MHz
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
针脚数 3
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 300 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 420
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, Industrial, Power Management, Automotive, 车用, 电源管理, Automotive, 工业, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BC857CLT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SBC857CLT1G 安森美 | 类似代替 | BC857CLT1G和SBC857CLT1G的区别 |
BC857CLT3G 安森美 | 类似代替 | BC857CLT1G和BC857CLT3G的区别 |
BC857CLT1 安森美 | 类似代替 | BC857CLT1G和BC857CLT1的区别 |