BLF6G27-10G,112参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLF6G27-10G,112概述

RF Power Transistor, 2.3 to 2.7GHz, 10W, 19dB, 28V, LDMOS, SOT-975C

RF Mosfet LDMOS 28V 130mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 19dB 2W CDFM2

得捷:
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.5A 3-Pin CDFM Bulk

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3.5A 3-Pin CDFM Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 2.3 to 2.7 GHz, 10 W, 19 dB, 28 V, LDMOS, SOT-975C

BLF6G27-10G,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.5GHz ~ 2.7GHz

输出功率 2 W

增益 19 dB

测试电流 130 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-975

外形尺寸

封装 SOT-975

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF6G27-10G,112

型号： BLF6G27-10G,112

制造商： Ampleon USA

描述：RF Power Transistor, 2.3 to 2.7GHz, 10W, 19dB, 28V, LDMOS, SOT-975C

替代型号BLF6G27-10G,112