BLF6G10LS-135RN,11参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLF6G10LS-135RN,11概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Blister

RF Mosfet LDMOS 28V 950mA 871.5MHz ~ 891.5MHz 21dB 26.5W SOT502B

得捷:
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3-Pin SOT-502B Bulk

Win Source:
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT502B

BLF6G10LS-135RN,11中文资料参数规格

技术参数

频率 871.5MHz ~ 891.5MHz

额定电流 32 A

输出功率 26.5 W

增益 21 dB

测试电流 950 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF6G10LS-135RN,11

型号： BLF6G10LS-135RN,11

制造商： Ampleon USA

描述：Trans RF MOSFET N-CH 65V 32A 3Pin SOT-502B Blister