BLF647PS,112

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BLF647PS,112概述

RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT1121B

RF Mosfet LDMOS(双),共源 1.3GHz 17.5dB 200W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin CDFM Bulk


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 5-Pin SOT-1121B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0 to 1.4 GHz, 200 W, 18 dB, 32 V, LDMOS, SOT1121B


BLF647PS,112中文资料参数规格
技术参数

频率 1.3 GHz

输出功率 200 W

增益 17.5 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 78pF @32VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-1121

外形尺寸

封装 SOT-1121

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF647PS,112
型号: BLF647PS,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0 to 1.4GHz, 200W, 18dB, 32V, LDMOS, SOT1121B
替代型号BLF647PS,112
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BLF647PS,112

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BLF647PS,112和BLF647PSJ的区别

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