BC546ABU

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BC546ABU概述

NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

The is a NPN epitaxial silicon Bipolar Transistor suitable for switching and amplifier applications.

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High voltage VCEO
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Complement to BC556

欧时:
### 小信号 NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


安富利:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


富昌:
BC546 系列 65 V 100 mA 通孔 NPN 外延硅晶体管 - TO-92-3


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 500mW; TO92


Verical:
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 3-Pin TO-92 Bulk


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC546ABU  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 65 V, 300 MHz, 500 mW, 100 mA, 110 hFE


Win Source:
TRANS NPN 65V 0.1A TO-92


BC546ABU中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 65.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 500 mW

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 800

额定功率Max 500 mW

直流电流增益hFE 110

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-92-3

外形尺寸

长度 4.58 mm

宽度 3.86 mm

高度 4.58 mm

封装 TO-92-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC546ABU
型号: BC546ABU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号BC546ABU
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