BCR48PNH6327XTSA1概述
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Summary of Features:
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- Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit
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- Two galvanic internal isolated NPN/PNP Transistors in one package
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- Built in bias resistor NPN: R1 = 47kΩ, R2 = 47kΩ PNP: R1= 2.2kΩ, R2 = 47kΩ
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- Pb-free RoHS compliant package
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- Qualified according AEC Q101
BCR48PNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 70mA/100mA
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买BCR48PNH6327XTSA1