BLF8G27LS-100V,112

BLF8G27LS-100V,112图片1
BLF8G27LS-100V,112概述

RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W CDFM6


得捷:
RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM Bulk


富昌:
100 W LDMOS 功率 晶体管 频率范围 2500 MHz 至 2700 MHz


RfMW:
RF Power Transistor, 2.5 to 2.7 GHz, 100 W, 17 dB, 28 V, SOT1244B, LDMOS


Win Source:
RF MOSFET LDMOS 28V CDFM6 / RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 17dB 25W CDFM6


BLF8G27LS-100V,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.5GHz ~ 2.7GHz

输出功率 25 W

增益 17 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1244

外形尺寸

封装 SOT-1244

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G27LS-100V,112
型号: BLF8G27LS-100V,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 2.5 to 2.7GHz, 100W, 17dB, 28V, SOT1244B, LDMOS
替代型号BLF8G27LS-100V,112
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF8G27LS-100V,112

Ampleon USA

当前型号

当前型号

BLF8G27LS-100V,118

Ampleon USA

完全替代

BLF8G27LS-100V,112和BLF8G27LS-100V,118的区别

BLF7G24LS-100,118

Ampleon USA

功能相似

BLF8G27LS-100V,112和BLF7G24LS-100,118的区别

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