BLF8G22LS-140J

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BLF8G22LS-140J概述

RF Power Transistor, 2.0 to 2.2GHz, 140W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.11GHz 18.5dB 33W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.0 to 2.2 GHz, 140 W, 18.5 dB, 28V, SOT502B, LDMOS


Win Source:
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B / RF Mosfet LDMOS 28 V 900 mA 2.11GHz 18.5dB 33W SOT502B


BLF8G22LS-140J中文资料参数规格
技术参数

频率 2.11 GHz

输出功率 33 W

增益 18.5 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G22LS-140J
型号: BLF8G22LS-140J
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 2.0 to 2.2GHz, 140W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS
替代型号BLF8G22LS-140J
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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