BCR08PNH6327XTSA1概述
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
双电阻器双数字，
得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
欧时:
Infineon BCR08PNH6327XTSA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚
艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
BCR08PNH6327XTSA1中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 170 MHz
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Last Time Buy
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BCR08PNH6327XTSA1