BLF8G10L-160,112

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BLF8G10L-160,112概述

RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502A

RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502A Blister


富昌:
BLF8G10L 系列 925-960 Mhz 30 V 35 W 功率 LDMOS 晶体管 - SOT1244


RfMW:
RF Power Transistor, 0.92 to 0.96 GHz, 160 W, 19.7 dB, 30 V, LDMOS, SOT-502A


BLF8G10L-160,112中文资料参数规格
技术参数

频率 920MHz ~ 960MHz

输出功率 35 W

增益 19.7 dB

测试电流 1.1 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 30 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G10L-160,112
型号: BLF8G10L-160,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502A

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