BLF8G22LS-200GVJ

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BLF8G22LS-200GVJ概述

RF Power Transistor, 2.1 to 2.17GHz, 200W, 20dB, 28V, SOT1244C, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 2A 2.11GHz ~ 2.17GHz 19dB 55W CDFM6


得捷:
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244C


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.1 to 2.17 GHz, 200 W, 20 dB, 28 V, SOT1244C, LDMOS


BLF8G22LS-200GVJ中文资料参数规格
技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

输出功率 55 W

增益 19 dB

测试电流 2 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1244

外形尺寸

高度 4.75 mm

封装 SOT-1244

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G22LS-200GVJ
型号: BLF8G22LS-200GVJ
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 2.1 to 2.17GHz, 200W, 20dB, 28V, SOT1244C, LDMOS

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