BLF8G20LS-200V,112

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BLF8G20LS-200V,112概述

RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 200W, 17.5dB, 28V, SOT1120B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.81GHz ~ 1.88GHz 17.5dB 55W LDMOST


得捷:
TRANSISTOR RF POWER 200W ACC-6L


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 1.8 to 2 GHz, 200 W, 17.5 dB, 28 V, SOT1120B, LDMOS


BLF8G20LS-200V,112中文资料参数规格
技术参数

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W

增益 17.5 dB

测试电流 1.6 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1120

外形尺寸

封装 SOT-1120

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G20LS-200V,112
型号: BLF8G20LS-200V,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 1.8 to 2GHz, 200W, 17.5dB, 28V, SOT1120B, LDMOS
替代型号BLF8G20LS-200V,112
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF8G20LS-200V,112

Ampleon USA

当前型号

当前型号

BLF8G20LS-200V,115

Ampleon USA

完全替代

BLF8G20LS-200V,112和BLF8G20LS-200V,115的区别

BLF8G20LS-200V,118

Ampleon USA

完全替代

BLF8G20LS-200V,112和BLF8G20LS-200V,118的区别

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