BCX71J_D87Z

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BCX71J_D87Z中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 250 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 460

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BCX71J_D87Z
型号: BCX71J_D87Z
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT PNP Si Transistor Epitaxial
替代型号BCX71J_D87Z
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BCX71J_D87Z

Fairchild 飞兆/仙童

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