BLF10H6600PU

BLF10H6600PU图片1
BLF10H6600PU图片2
BLF10H6600PU图片3
BLF10H6600PU概述

Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin SOT-539A Blister

RF Mosfet LDMOS(双),共源 50 V 1.3 A 860MHz 20.8dB 250W SOT539A


得捷:
RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539A Blister


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539A Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 400- 1000 MHz, 600 W, 19.8 dB, 50 V, LDMOS


BLF10H6600PU中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 250 W

增益 20.8 dB

测试电流 1.3 A

输入电容Ciss 220pF @50VVds

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF10H6600PU
型号: BLF10H6600PU
制造商: Ampleon USA
描述:Trans RF MOSFET N-CH 110V 5Pin SOT-539A Blister

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台