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BC640TAR概述

PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

Switching and Amplifier Applications

• Complement to BC639

艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 1A 3-Pin TO-92 Ammo

BC640TAR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -1.00 A

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V

额定功率Max 1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC640TAR

型号： BC640TAR

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

替代型号BC640TAR

型号/品牌

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替代型号对比

BC640TAR

Fairchild 飞兆/仙童

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BC640TA

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BC640TAR和BC640TA的区别