BLS6G2731S-120,112

BLS6G2731S-120,112图片1
BLS6G2731S-120,112图片2
BLS6G2731S-120,112概述

Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3Pin SOT-502B Bulk

RF Mosfet LDMOS 32V 100mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 13.5dB 120W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin SOT-502B Blister


富昌:
BLS6G2731 系列 2.7 - 3.1 GHz 6 W LDMOS S-波段 雷达 功率晶体管 - SOT502


RfMW:
RF Power Transistor, 2.7 to 3.1 GHz, 120 W, 13.5 dB, 32 V, LDMOS, SOT-502B


BLS6G2731S-120,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.7GHz ~ 3.1GHz

上升时间 20 ns

输出功率 120 W

增益 13.5 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 60 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLS6G2731S-120,112
型号: BLS6G2731S-120,112
制造商: Ampleon USA
描述:Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3Pin SOT-502B Bulk

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台