BLF8G20LS-220U

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BLF8G20LS-220U概述

RF Power Transistor, 1.8- 2GHz, 220W, 18.9dB, 28V, SOT502B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 1.6A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18.9dB 55W


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B Blister


RfMW:
RF Power Transistor, 1.8- 2 GHz, 220 W, 18.9 dB, 28V, SOT502B, LDMOS


Win Source:
RF FET LDMOS 65V 18.9DB SOT502B / RF Mosfet LDMOS 28 V 1.6 A 1.81GHz ~ 1.88GHz 18.9dB 55W SOT502B


BLF8G20LS-220U中文资料参数规格
技术参数

频率 1.81GHz ~ 1.88GHz

输出功率 55 W

增益 18.9 dB

测试电流 1.6 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF8G20LS-220U
型号: BLF8G20LS-220U
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 1.8- 2GHz, 220W, 18.9dB, 28V, SOT502B, LDMOS

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