BLF6G10-200RN,112参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLF6G10-200RN,112概述

Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502A Blister

RF Mosfet LDMOS 28V 1.4A 871.5MHz ~ 891.5MHz 20dB 40W LDMOST

得捷:
RF FET LDMOS 65V 20DB SOT502A

艾睿:
Trans RF FET N-CH 65V 49A 3-Pin SOT-502A Bulk

BLF6G10-200RN,112中文资料参数规格

技术参数

频率 871.5MHz ~ 891.5MHz

输出功率 40 W

增益 20 dB

测试电流 1.4 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BLF6G10-200RN,112

型号： BLF6G10-200RN,112

制造商： Ampleon USA

描述：Trans RF MOSFET N-CH 65V 49A 3Pin SOT-502A Blister