BLS6G3135S-120,112

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BLS6G3135S-120,112概述

Trans RF MOSFET N-CH 60V 7.2A 3Pin SOT-502B Blister

RF Mosfet LDMOS 32V 100mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 11dB 120W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 60V 11DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 7.2A 3-Pin SOT-502B Bulk


富昌:
BLS6G3135 系列 3.1 - 3.0 GHz 20 W LDMOS 功率晶体管 用于雷达应用


RfMW:
RF Power Transistor, 3.1 to 3.5 GHz, 120 W, 11 dB, 32 V, LDMOS, SOT-502A


BLS6G3135S-120,112中文资料参数规格
技术参数

频率 3.1GHz ~ 3.5GHz

上升时间 20 ns

输出功率 120 W

增益 11 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 60 V

电源电压 32 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLS6G3135S-120,112
型号: BLS6G3135S-120,112
制造商: Ampleon USA
描述:Trans RF MOSFET N-CH 60V 7.2A 3Pin SOT-502B Blister

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