通用晶体管 General Purpose Transistor
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| -45V
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集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| −45V
集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| −100mA/-0.1A
截止频率fTTranstion FrequencyfT|
直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120~220
管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| −550mV/-0.55V
耗散功率PcPoWer Dissipation| 350mW/0.35W
Description & Applications| GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
描述与应用| 通用
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 220
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BCX71G Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW69,215 安世 | 功能相似 | BCX71G和BCW69,215的区别 |
BCX71GE6327HTSA1 英飞凌 | 功能相似 | BCX71G和BCX71GE6327HTSA1的区别 |