BF998R,215参数规格_中文资料_数据手册PDF

BF998R,215概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS

RF Mosfet N 通道双门 8 V 10 mA 200MHz - - SOT-143R

得捷:
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

DeviceMart:
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R

Win Source:
MOSFET N-CH 12V 30MA SOT143R

BF998R,215中文资料参数规格

技术参数

频率 200 MHz

额定电流 30 mA

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 12.0 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 12 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-143

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-143

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF998R,215

型号： BF998R,215

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE7 MOS-RFSS

替代型号BF998R,215