BF1211WR,115

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BF1211WR,115概述

MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

双栅极射频 MOSFET ,Nexperia

### MOSFET 晶体管, Semiconductors


得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R


欧时:
### 射频 MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R


BF1211WR,115中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

增益 29 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-343-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF1211WR,115
型号: BF1211WR,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:MOSFET 晶体管,NXP semiconductors ### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors
替代型号BF1211WR,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BF1211WR,115

NXP 恩智浦

当前型号

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BF1211R

恩智浦

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BF1211WR,115和BF1211R的区别

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