BAS40E6327HTSA1

BAS40E6327HTSA1图片1
BAS40E6327HTSA1图片2
BAS40E6327HTSA1图片3
BAS40E6327HTSA1图片4
BAS40E6327HTSA1图片5
BAS40E6327HTSA1图片6
BAS40E6327HTSA1图片7
BAS40E6327HTSA1图片8
BAS40E6327HTSA1图片9
BAS40E6327HTSA1图片10
BAS40E6327HTSA1概述

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

肖特基势垒,


欧时:
Infineon 二极管 BAS40E6327HTSA1 肖特基, Io=120mA, Vrev=40V, 3引脚 SOT-23封装


得捷:
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23


立创商城:
40V 120mA 720mV@40mA


贸泽:
肖特基二极管与整流器 40V 0.12A


e络盟:
小信号肖特基二极管, 单, 40 V, 120 mA, 1 V, 200 mA, 150 °C


艾睿:
Converting from AC to DC is simple when using a Schottky diode BAS40E6327HTSA1 rectifier from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 250 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. It is made in a single configuration. Its peak non-repetitive surge current is 0.2 A, while its maximum continuous forward current is 0.12 A. This rectifier has an operating temperature range of -55 °C to 125 °C.


Chip1Stop:
Diode Schottky 40V 0.12A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Rectifier Diode Schottky Si 0.12A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BAS40E6327HTSA1中文资料参数规格
技术参数

电容 5.00 pF

输出电流 ≤120 mA

针脚数 3

正向电压 0.72 V

极性 Standard

耗散功率 250 mW

正向电流 120 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 200 mA

正向电压Max 1 V

正向电流Max 120 mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BAS40E6327HTSA1
型号: BAS40E6327HTSA1
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台