BLF177,112

BLF177,112图片1
BLF177,112概述

RF Power Transistor, 0.005 to 0.03GHz, 150W, 20dB, 50V, VDMOS, SOT-121B

RF Mosfet N-Channel 50V 700mA 108MHz 19dB 150W CRFM4


得捷:
RF FET NCHA 125V 19DB SOT121B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 16A Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.005 to 0.03 GHz, 150 W, 20 dB, 50 V, VDMOS, SOT-121B


BLF177,112中文资料参数规格
技术参数

频率 108 MHz

耗散功率 220000 mW

输出功率 150 W

增益 19 dB

测试电流 700 mA

输入电容Ciss 480pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 220000 mW

额定电压 125 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-121

外形尺寸

封装 SOT-121

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF177,112
型号: BLF177,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, 0.005 to 0.03GHz, 150W, 20dB, 50V, VDMOS, SOT-121B
替代型号BLF177,112
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BLF177,112

Ampleon USA

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美高森美

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