BF1201WR,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BF1201WR,115概述

MOSFET 晶体管，NXP semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

双栅极射频 MOSFET ，Nexperia

得捷:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

欧时:
NXP N沟道 MOSFET 四极管 BF1201WR,115, 30 mA, Vds=10 V, 4引脚 CMPAK封装

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Win Source:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

BF1201WR,115中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

漏源极电压Vds 10 V

增益 29 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF1201WR,115

型号： BF1201WR,115

描述：MOSFET 晶体管，NXP semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

替代型号BF1201WR,115