BCW 系列 32 V 800 mA 表面贴装 NPN 硅 通用 晶体管 - SOT-23
通用 NPN ,最大 1A,On Semiconductor
### 标准
带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。
欧时:
ON Semiconductor BCW65ALT1G , NPN 晶体管, 800mA, Vce=32 V, HFE:35, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
得捷:
TRANS NPN 32V 0.8A SOT23-3
立创商城:
BCW65ALT1G
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 60V NPN
e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 32 V, 100 MHz, 225 mW, 800 mA, 100 hFE
艾睿:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Allied Electronics:
ON Semi BCW65ALT1G NPN Bipolar Transistor; 0.8 A; 32 V; 3-Pin SOT-23
安富利:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 32V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23
频率 100 MHz
额定电压DC 32.0 V
额定电流 800 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 32 V
集电极最大允许电流 0.8A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3.04 mm
宽度 2.64 mm
高度 1.11 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
BCW65ALT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
BCW65ALT1 安森美 | 完全替代 | BCW65ALT1G和BCW65ALT1的区别 |
BCW32@215 恩智浦 | 类似代替 | BCW65ALT1G和BCW32@215的区别 |
MPSA27RLRAG 安森美 | 功能相似 | BCW65ALT1G和MPSA27RLRAG的区别 |