BLF4G22LS-130,112参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLF4G22LS-130,112概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 LDMOS TNS

RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 33W SOT502B

得捷:
FET RF 65V 2.17GHZ SOT502B

BLF4G22LS-130,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

额定电流 15 A

输出功率 33 W

增益 13.5 dB

测试电流 1.15 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

封装 SOT-502

外形尺寸

长度 20.7 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： BLF4G22LS-130,112

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 LDMOS TNS