BF1202WR,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

BF1202WR,115概述

Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30.5dB CMPAK-4

得捷:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

BF1202WR,115中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

极性 N-Channel

耗散功率 0.2 W

漏源极电压Vds 10 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

增益 30.5 dB

测试电流 12 mA

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF1202WR,115

型号： BF1202WR,115

描述：Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

替代型号BF1202WR,115