BLF4G10-160,112

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BLF4G10-160,112概述

TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 894MHz 19.7dB 160W LDMOST


得捷:
TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A


BLF4G10-160,112中文资料参数规格
技术参数

频率 894 MHz

额定电流 15 A

输出功率 160 W

增益 19.7 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLF4G10-160,112
型号: BLF4G10-160,112
制造商: NXP 恩智浦
描述:TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A
替代型号BLF4G10-160,112
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