Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
SIPMOS® N 通道 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327XTSA1, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23
极性 N-CH
耗散功率 360mW Ta
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 2.7 ns
输入电容Ciss 37pF @25VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BSS7728NH6327XTSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
SN7002NH6327XTSA1 英飞凌 | 类似代替 | BSS7728NH6327XTSA1和SN7002NH6327XTSA1的区别 |