BF1211R,215

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BF1211R,215概述

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB SOT-143R


得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143R


BF1211R,215中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6 V

增益 29 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-143

外形尺寸

封装 SOT-143

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF1211R,215
型号: BF1211R,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R
替代型号BF1211R,215
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BF1211R,215

NXP 恩智浦

当前型号

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BF1211R

恩智浦

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