Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™ 小信号 MOSFET
欧时:
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323 SC-70封装
得捷:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
立创商城:
BSS214NWH6327XTSA1
贸泽:
MOSFET N-Ch 20V 1.5A SOT-323-3
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 1.5 A, 20 V, 0.106 ohm, 4.5 V, 950 mV
艾睿:
Make an effective common source amplifier using this BSS214NWH6327XTSA1 power MOSFET from Infineon Technologies. Its maximum power dissipation is 500 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes optimos technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A 3-Pin SOT-323 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.5A; 0.5W; SOT323
Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323
额定功率 0.5 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 106 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 7.8 ns
输入电容Ciss 107pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
下降时间 1.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-323-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free