BF1203,115

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BF1203,115概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 27dB 6-TSSOP


得捷:
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA 6TSSOP


Win Source:
FET RF 10V 400MHZ 6TSSOP


BF1203,115中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 200 mW

增益 27 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

封装 TSSOP-6

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BF1203,115
型号: BF1203,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW

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