BZX84J-C6V8,115中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 1.1V @100mA
耗散功率 550 mW
测试电流 5 mA
稳压值 6.8 V
正向电压Max 1.1V @100mA
额定功率Max 550 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.55 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 SOD-323
外形尺寸
长度 1.8 mm
宽度 1.35 mm
高度 0.8 mm
封装 SOD-323
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
温度系数 2.85 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BZX84J-C6V8,115
型号： BZX84J-C6V8,115
制造商：
NXP
恩智浦
描述：齐纳二极管 550mW，BZX84J 系列，NXP Semiconductors NXP 的 BZX84J 系列齐纳二极管为通用设备。 这些单齐纳二极管采用 SOD323F SC-90 封装。 此塑料封装为非常小巧的扁平引线表面安装（贴片）。 BZX84J 系列特别适用于一般调节功能。 \- 非重复峰值反向功耗：40mW \- 总功耗：550mW \- 小型塑料封装，用于表面安装设计 \- 宽工作电压范围：标称 2.4V 至 75V（E24 系列） \- 两个容差系列：2% 和 5% \- 低差分电阻 ### 齐纳二极管，NXP Semiconductors
替代型号BZX84J-C6V8,115
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BZX84J-C6V8,115 NXP 恩智浦 | 当前型号 | 当前型号 |
MM5Z6V8T1G 安森美 | 功能相似 | BZX84J-C6V8,115和MM5Z6V8T1G的区别 |
BZX84J-C5V1,115 安世 | 功能相似 | BZX84J-C6V8,115和BZX84J-C5V1,115的区别 |