BLD6G22L-50,112参数规格_中文资料_数据手册PDF

BLD6G22L-50,112概述

Trans MOSFET N-CH 65V 10.2A 4Pin SOT-1130A Bulk

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 170mA 2.14GHz 14dB 8W CDFM4

得捷:
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 10.2A 5-Pin CDFM Bulk

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 10.2A 5-Pin CDFM Bulk

BLD6G22L-50,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.14 GHz

输出功率 8 W

增益 14 dB

测试电流 170 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-1130

外形尺寸

封装 SOT-1130

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BLD6G22L-50,112

型号： BLD6G22L-50,112

制造商： Ampleon USA

描述：Trans MOSFET N-CH 65V 10.2A 4Pin SOT-1130A Bulk