BF 1005SR E6327概述
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 9V
RF Mosfet N-Channel 5V 800MHz 22dB PG-SOT143R-4
得捷:
MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R
贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 9V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 8V 0.025A 4-Pin3+Tab SOT-143 T/R
BF 1005SR E6327中文资料参数规格
技术参数
频率 800 MHz
额定电压DC 8.00 V
额定电流 25 mA
耗散功率 200 mW
输入电容 2.70 pF
漏源极电压Vds 8.00 V
连续漏极电流Ids 25.0 mA
增益 22 dB
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
额定电压 8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-143R-4
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 1 mm
封装 SOT-143R-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买BF 1005SR E6327
型号： BF 1005SR E6327
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Silicon N-Channel MOSFET Tetrode 9V