BAS40T-TP参数规格_中文资料_数据手册PDF

BAS40T-TP概述

Diode Small Signal Schottky 40V 0.2A 3Pin SOT-523 T/R

Diode Schottky 40V 200mA DC Surface Mount SOT-523

得捷:
DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT523

艾睿:
Diode Small Signal Schottky 40V 0.2A 3-Pin SOT-523 T/R

Chip1Stop:
Diode Small Signal Schottky 40V 0.2A 3-Pin SOT-523 T/R

BAS40T-TP中文资料参数规格

技术参数

电容 5.00 pF

输出电流 ≤200 mA

正向电压 1V @40mA

极性 Standard

耗散功率 150 mW

反向恢复时间 5 ns

正向电压Max 1V @40mA

正向电流Max 0.2 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-523

外形尺寸

封装 SOT-523

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BAS40T-TP

型号： BAS40T-TP

描述：Diode Small Signal Schottky 40V 0.2A 3Pin SOT-523 T/R

替代型号BAS40T-TP

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
BAS40T-TP Micro Commercial Components 美微科	当前型号	当前型号
DAN217UT106 罗姆半导体	功能相似	BAS40T-TP和DAN217UT106的区别
RB521G-30T2R 罗姆半导体	功能相似	BAS40T-TP和RB521G-30T2R的区别
NRVB130T1G 安森美	功能相似	BAS40T-TP和NRVB130T1G的区别