BC857BQAZ

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BC857BQAZ概述

DFN-D PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 280 mW Surface Mount DFN1010D-3


得捷:
NEXPERIA BC857 - 45 V, 100 MA PN


艾睿:
NPN General-Purpose Transistor


BC857BQAZ中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 280 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC857BQAZ
型号: BC857BQAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D PNP 45V 0.1A

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